Infineon Technologies MOSFET de puissance Fast Diode (FD) OptiMOS™
Les composants Fast Diode (FD) OptiMOS™ Infineon représentent la toute dernière génération de MOSFET de puissance à canal N chez Infineon en option à 200 V et 250 V. Les composants FD OptiMOS Infineon sont dotés d'un facteur Qrr réduit, d'une très faible résistance en fonctionnement et d'une température de fonctionnement de 175 °C. Ces MOSFET FD OptiMOS Infineon sont optimisés pour une commutation directe sur le corps de diode et sont idéaux pour les applications dans des domaines tels que les alimentations industrielles, les amplificateurs audio de classe D, les commandes moteur et les inverseurs CC/CA.
Caractéristiques
- N-channel, normal level
- Fast diode (FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Low ON-resistance RDS(on)
- 175°C maximum operating temperature
- Pb-free lead plating, RoHS compliant
- Qualified, according to JEDEC for target application
- Halogen free, according to IEC61249-2-21
Applications
- Telecom
- Class D audio amplifiers
- Motor control for 48-110V systems
- Industrial power supplies
- DC/AC inverters
Related Products
Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs
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Publié le: 2014-06-02
| Mis à jour le: 2022-03-11