MOSFET de puissance Fast Diode (FD) OptiMOS™

Les composants Fast Diode (FD) OptiMOS™ Infineon représentent la toute dernière génération de MOSFET de puissance à canal  N chez Infineon en option à 200 V et 250 V. Les composants FD OptiMOS Infineon sont dotés d'un facteur Qrr réduit, d'une très faible résistance en fonctionnement et d'une température de fonctionnement de 175 °C. Ces MOSFET FD OptiMOS Infineon sont optimisés pour une commutation directe sur le corps de diode et sont idéaux pour les applications dans des domaines tels que les alimentations industrielles, les amplificateurs audio de classe D, les commandes moteur et les inverseurs CC/CA.
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