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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d’Infineon Technologies sont des MOSFET de 80 V (ISC016N08NM8 et ISC016N08NM8SC) ou 100 V (ISC019N10NM8SC) de niveau normal à canal N avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)]. Les ISC016N08NM8SC et ISC019N10NM8SC sont disponibles dans des boîtiers TDSON-8 refroidis des deux côtés, tandis que l’ISC016N08NM8 est livré dans un boîtier TDSON-8 standard. Chaque boîtier offre une résistance thermique supérieure et est testé en avalanche 100 %. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d'Infineon Technologies présentent une diode de récupération douce et sont sans plomb, sans halogène et conformes à la norme RoHS.

Caractéristiques

  • Canal N, niveau normal
  • Optimisés pour les entraînements à moteur, le redressement synchrone et la protection de batterie (ISC016N08NM8 et ISC016N08NM8SC)
  • Optimisés pour les SMPS haute performance et les entraînements à moteur (ISC019N10NM8SC)
  • Boîtier refroidi des deux côtés avec la plus faible résistance thermique de la jonction supérieure (ISC016N08NM8SC et ISC019N10NM8SC)
  • Diode de corps à récupération douce
  • 100 % testé en avalanche
  • Résistance thermique supérieure
  • RDS(on) très faible
  • Évaluation +175 °C
  • Placage au plomb sans Pb, conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène conformément à la norme IEC61249-2-21
  • Classe MSL 1 selon J-STD-020 (ISC016N08NM8 et ISC016N08NM8SC)

Applications

  • Solutions pour les centres de données et les centres de données d’IA
  • Infrastructures de télécommunications
  • Photovoltaïque
  • BMS industriels et grand public
  • Unités d'alimentation électrique (PSU) de serveur
  • Multicoptères et drones
  • Outils électriques
  • Robots humanoïdes
  • Contrôle de moteur

Caractéristiques techniques

  • Tension de rupture drain-source [V(BR)DSS] (VGS = 0 V, ID = 1 mA)
    • ISC016N08NM8 ISC016N08NM8SC 80 V (min.)
    • ISC019N10NM8SC : 100 V (min.)
  • RDS source-drain (activé) (VGS = 10 V, ID = 50 A)
    • ISC016N08NM8 ISC016N08NM8SC 1,64 mΩ (max.)
    • ISC019N10NM8SC : 1,95 mΩ (max.)
  • Courant de drain continu (ID) (VGS = 10 V, TC = 25 °C)
    • ISC016N08NM8 : 268 A (max.)
    • ISC016N08NM8SC : 269 A (max.)
    • ISC019N10NM8SC : 245 A (max.)
  • Charge de sortie (Qoss)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC : 147 nC (std.) (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    • ISC019N10NM8SC : 205 nC (std.) (VDS = 50 V, VGS = 0 V)
  • Charge de grille totale (GQ)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC : 76 nC (std.) (VDD = 40 V, ID = 50 A, VGS = 0 V à 10 V)
    • ISC019N10NM8SC : 106 nC (VDD = 50 V, ID = 25 A, VGS = 0 V à 10 V)
  • Charge de récupération inverse (Qrr)
    • ISC016N08NM8, ISC016N08NM8SC : 162 nC (std.) (VR = 40 V, IF = 50 A, diF/dt = 100 A/μs)
    • ISC019N10NM8SC : 53 nC (std.) (VR = 50 V, IF = 25 A, diF/dt = 100 A/μs)

Emballages et schémas de circuit

Graphique - Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8
Publié le: 2026-03-04 | Mis à jour le: 2026-03-17