MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d’Infineon Technologies sont des MOSFET de 80 V (ISC016N08NM8 et ISC016N08NM8SC) ou 100 V (ISC019N10NM8SC) de niveau normal à canal N avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)]. Les ISC016N08NM8SC et ISC019N10NM8SC sont disponibles dans des boîtiers TDSON-8 refroidis des deux côtés, tandis que l’ISC016N08NM8 est livré dans un boîtier TDSON-8 standard. Chaque boîtier offre une résistance thermique supérieure et est testé en avalanche 100 %. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d'Infineon Technologies présentent une diode de récupération douce et sont sans plomb, sans halogène et conformes à la norme RoHS.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Fiche technique
500En stock
50026/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Fiche technique
4.00018/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Fiche technique
950Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel