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Infineon Technologies MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Les MOSFET G2 CoolSiC™ 1 400 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon Technologies sont proposés dans un boîtier à refusion TO-247PLUS-4. Ces Infineon MOSFET sont idéaux pour les applications à puissance de sortie élevée telles que la recharge des véhicules électriques (VE), les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les véhicules commerciaux/de chantier/agricoles (CAV), etc. La technologie CoolSiC™ MOSFET G2 1 400 V est une technologie de pointe offrant des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée. Le boîtier comporte une capacité de refusion (3 soudures par refusion possibles), permettant une résistance thermique plus faible.

Caractéristiques

  • Très faibles pertes de commutation
  • Le côté arrière du boîtier convient à la soudure par refusion à +260 °C, 3 fois
  • Exploitation en surcharge jusqu'à Tvj = +200 °C
  • Temps de résistance au court-circuit de 2 µs
  • Tension de seuil de référence de la grille de 4,2 V
  • Densité de puissance et puissance de sortie du système accrues
  • Robuste contre la mise sous tension parasite, une tension de grille d'extinction de 0 V peut être appliquée
  • Diode de corps robuste pour commutation dure
  • Robuste contre un effet Miller
  • .Technologie d'interconnexion XT pour des performances thermiques de premier ordre
  • Efficacité globale améliorée
  • Mise en parallèle facile
  • Robuste contre les surcharges transitoires et les conditions d'avalanche
  • PINS d'alimentation large de 2 mm pour une capacité de courant élevé
  • PINS soudés par résistance pour des connexions directes à la barre-bus
  • Boîtier TO247PLUS (PG-TO247-4-U08) avec une ligne de fuite élevée de 10,8 mm et CTI ≥ 600 V
  • Qualifié pour les applications industrielles selon JEDEC47/20/22
  • Dispositif écologique sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • CAV
  • Chargement des véhicules électriques
  • Alimentations électriques ininterrompues (ASI) en ligne/industrielles
  • Convertisseurs de chaîne
  • BESS
  • Moteurs à usage général

Caractéristiques techniques

  • Tension maximale entre le drain et la source de 1 400 V
  • Tension inverse drain-source maximale de 5,5 V
  • Plage de courant CC à drain continu
    • De 147 A à 207 A pour IMYR140R008M2H
    • De 71 A à 100 A pour IMYR140R019M2H
  • Courant de drain de crête de 213 A (IMYR140R019M2H) ou 441 A (IMYR140R008M2H)
  • Plage de tension maximale entre la grille et la source
    • Plage de tension transitoire de -10 V à 25 V 
    • Plage de tension statique de -7 V à 23 V
  • Énergie en avalanche
    • 1159 mJ pour un pulse unique et 5,8 mJ répétitif pour IMYR140R008M2H
    • Pulse unique de 506 mJ et répétitif de 2,5 mJ pour IMYR140R019M2H
  • Temps de court-circuit maximum de 2 µs
  • Gammes de dissipation d'énergie
    • De 360 W à 710 W pour IMYR140R008M2H
    • De 192 W à 385 W pour IMYR140R019M2H
  • Portée de tension de grille recommandée
    • 15 V à 18 V pour IMYR140R008M2H
    • -5 V à 0 V pour IMYR140R019M2H 
  • Résistance à l'état passant drain à source 23,4 mΩ (IMYR140R008M2H) ou 53,8 mΩ (IMYR140R019M2H) maximum
  • Tension de seuil grille-source maximale de 5,1 V 
  • Courant de drain à tension de grille nulle maximale de 300 µA (IMYR140R019M2H) ou 690 µA (IMYR140R008M2H)
  • Courant de fuite de la grille maximal de ±120 nA
  • Transconductance directe standard de 27 S (IMYR140R019M2H) ou 63 S (IMYR140R008M2H)
  • Résistance interne de la grille standard de 2,1 Ω (IMYR140R019M2H) ou 4,4 Ω (IMYR140R008M2H)
  • Capacités standard
    • Entrée de 2 860 pF (IMYR140R019M2H) ou de 6 450 pF (IMYR140R008M2H)
    • Sortie de 99 pF (IMYR140R019M2H) ou de 225 pF (IMYR140R008M2H)
    • Transfert inverse de 9 pF (IMYR140R019M2H) ou de 20 pF (IMYR140R008M2H)
  • Charge de sortie standard de 172 nC (IMYR140R019M2H) ou de 394 nC (IMYR140R008M2H)
  • Capacité de sortie effective standard
    • 197 pF (IMYR140R019M2H) ou 447 pF (IMYR140R008M2H) liés à l'énergie
    • 215 pF (IMYR140R019M2H) ou 493 pF (IMYR140R008M2H) liés au temps
  • Charge de grille totale de 90 nC (IMYR140R019M2H) ou 203 nC (IMYR140R008M2H)
  • Charge de grille de plateau de 30 nC (IMYR140R019M2H) ou 67 nC (IMYR140R008M2H)
  • 18 nC (IMYR140R019M2H) ou 40 nC (IMYR140R008M2H) charge de grille à drain
  • Temps standard
    • Délai de mise sous tension de 9 ns (IMYR140R019M2H) ou de 31 ns (IMYR140R008M2H)
    • Montée de 4,7 ns (IMYR140R019M2H) ou de 17 ns (IMYR140R008M2H)
    • Délai de mise sous tension de 23 ns (IMYR140R019M2H) ou de 80 ns (IMYR140R008M2H)
    • Descente de 9,5 ns (IMYR140R019M2H) ou de 34 ns (IMYR140R008M2H)
  • Énergie standard à +25 °C
    • 548 µJ (IMYR140R019M2H) ou 2720 µJ (IMYR140R008M2H) à l'allumage
    • 120 µJ (IMYR140R019M2H) ou 1980 µJ (IMYR140R008M2H) à l'extinction
    • 918 µJ (IMYR140R019M2H) ou 5100 µJ (IMYR140R008M2H) commutation totale
  • 0,13 µC (IMYR140R019M2H) ou 0,18 µC (IMYR140R008M2H) charge de récupération avant du MOSFET standard à +25 °C
  • 9,6 A (IMYR140R019M2H) ou 16 A (IMYR140R008M2H) courant de récupération avant de crête standard du MOSFET à +25 °C
  • 250 µJ (IMYR140R019M2H) ou 400µJ (IMYR140R008M2H) énergie de récupération avant de pointe standard du MOSFET à +25 °C
  • Résistance thermique
    • 62 K/W maximum de la jonction à l'environnement
    • Plage maximale de jonction au boîtier MOSFET/diode de corps de 0,21 K/W à 0,39 K/W
  • Température de soudage maximum de +260 °C
  • Durée de vie pouvant atteindre 5000 cycles

Fiche technique

Schéma

Schéma - Infineon Technologies MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™
Publié le: 2025-09-25 | Mis à jour le: 2025-11-03