MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Les MOSFET G2 CoolSiC™ 1 400 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon Technologies sont proposés dans un boîtier à refusion TO-247PLUS-4. Ces Infineon MOSFET sont idéaux pour les applications à puissance de sortie élevée telles que la recharge des véhicules électriques (VE), les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les véhicules commerciaux/de chantier/agricoles (CAV), etc. La technologie CoolSiC™ MOSFET G2 1 400 V est une technologie de pointe offrant des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée. Le boîtier comporte une capacité de refusion (3 soudures par refusion possibles), permettant une résistance thermique plus faible.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
162En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
307En stock
480Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
146En stock
240Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
126En stock
24002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Fiche technique
575En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
203En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Fiche technique
189En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
230En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
220En stock
Min. : 1
Mult. : 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Fiche technique
24006/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC