Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
Les transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V d'Infineon Technologies représentent une avancée significative dans la technologie de conversion d'énergie. Ces transistors en nitrure de gallium (GaN) sont conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide et minimisant les pertes d'énergie. La série 700 V CoolGaN G5 comprend des transistors en mode d'amélioration qui sont normalement désactivés, garantissant une exploitation sûre et une haute fiabilité. Présentant une petite charge de sortie et grille, ces transistors soutiennent des conceptions de densité haute puissance et réduisent les coûts de nomenclature système.
La robustesse de commutation et les normes élevées pour les DES font de ces transistors l'idéal pour les applications grand public telles que les chargeurs, les adaptateurs et les appareils électroménagers. Le boîtier ThinPAK refroidi par le dessous améliore encore la gestion thermique, permettant des conceptions compactes et efficaces. Dans l'ensemble, les transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V d'Infineon offrent une combinaison convaincante de performance, de fiabilité et de rentabilité pour les besoins modernes de conversion d'énergie.
Caractéristiques
- Transistor en mode d'amélioration
- Commutation ultra-rapide
- Aucune charge de récupération inverse
- Capable de conduction inverse
- Petite charge de sortie et grille
- Robustesse de commutation supérieure
- Normes DES HBM 2 kV
- La technologie de transistor normalement fermée garantit une exploitation sûre
- Permet un contrôle rapide et précis de l'administration d'énergie
- Améliore l'efficacité et la fiabilité du système
- Assure des performances robustes dans des conditions difficiles
- Boîtier PG‑TSON‑8
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Alimentations électriques CA-CC auxiliaires
- Conversion d'énergie CA-CC pour les infrastructures de télécommunications
- Électronique grand public
- Appareils électroménagers
- Conversion d'énergie
- Adaptateurs et chargeurs USB-C
- Solutions pour centres de données et centres de données IA
- Alimentations électriques industrielles
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source
- 700 V maximum en continu
- 900 V maximum en transitoire
- 650 V ou 750 V pulsés au maximum
- Plage de courant de fuite de 2,6 mA à 4,8 mA maximum à la tension transitoire drain-source
- Tension de choc de commutation maximale pulsée de 750 V
- Plage de courant continu drain-source maximal de 7,2 A à 13 A
- Plage de courant pulsé drain-source maximal de 7,7 A à 23 A
- Courant continu de grille maximal de 4,2 mA à 7,7 mA
- Tension grille-source
- -10 V minimum en continu
- -25 V pulsés minimum
- Puissance dissipable admissible maximum de 28 W à 47 W
- Plage de résistance de 170 mΩ à 330 mΩ de source sur drain
- Vitesse de balayage de la tension drain-source maximale 200V/ns
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -40 °C à +150 °C
Schéma
Publié le: 2025-04-18
| Mis à jour le: 2025-05-02