Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V d'Infineon Technologies représentent une avancée significative dans la technologie de conversion d'énergie. Ces transistors en nitrure de gallium (GaN) sont conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide et minimisant les pertes d'énergie. La série 700 V CoolGaN G5 comprend des transistors en mode d'amélioration qui sont normalement désactivés, garantissant une exploitation sûre et une haute fiabilité. Présentant une petite charge de sortie et grille, ces transistors soutiennent des conceptions de densité haute puissance et réduisent les coûts de nomenclature système.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 1.792En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 4.888En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 5.130En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 1.924En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 1.924En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5 1.096En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
4.99423/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN