Infineon Technologies Mémoire HYPERRAM™ 2.0 256 Mo S80KS2562 et S80KS2563
Les mémoires HYPERRAM™ 2.0 S80KS2562 et S80KS2563 d'Infineon Technologies sont des RAM dynamiques (DRAM) haute vitesse à rafraîchissement automatique, faible nombre de broches et faible puissance avec une interface HyperBUS (S80KS2562) ou octale xSPI (S80KS2563). Les deux composants disposent d'une fréquence d'horloge maximale de 200 MHz, d'un débit de données pouvant atteindre 400 Mb/s et de modes de veille hybride à économie d'énergie et de mise hors tension profonde. Les HYPERRAM S80KS2562 et S80KS2563 sont idéales pour une utilisation dans des systèmes intégrés hautes performances nécessitant une extension de mémoire pour le bloc-notes ou la mise en mémoire tampon.
Les interfaces HyperBus et octale xSPI prises en charge par les produits HYPERRAM s'appuient sur les caractéristiques héritées des mémoires d'interface parallèle et série tout en améliorant les performances et la facilité de conception du système et en réduisant le coût du système.
L'architecture à faible nombre de broches rend l'HYPERRAM particulièrement adaptée aux applications de puissance et à espace restreint sur la carte nécessitant une RAM externe hors puce.
Les mémoires HyperRAM 256 Mo S80KS2562 et S80KS2563 d'Infineon Technologies sont disponibles dans un boîtier FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) à 24 billes.
Caractéristiques
- Technologie : DRAM 25 nm
- Interface
- S80KS2562 : interface HyperBUS™
- S80KS2563 : interface xSPI (octale)
- Prise en charge d’interface 1,8 V
- Horloge asymétrique (CK) avec 11 signaux de bus
- Horloge différentielle (CK, CK#) avec 12 signaux de bus (en option)
- Sélection de puce (CS#)
- Bus de données 8 bits (DQ[7:0])
- Réinitialisation matérielle (n° de réinitialisation)
- Course de données en lecture/écriture bidirectionnelle (RWDS)
- Sortie au début de toutes les transactions pour indiquer la latence de rafraîchissement
- Sortie pendant la lecture des transactions en mode lecture des données stroboscopiques
- Saisie pendant les transactions d’écriture comme masque de données d’écriture
- Rafraîchissement des matrices
- Réseau de mémoire partielle
- Intégral
- Puissance
- Consommation de courant de lecture/écriture en rafale 22 mA/25 mA
- Mode veille hybride
- Mode de mise hors tension profonde
- Performances
- Fréquence d’horloge maximale 200 MHz
- Temps d'accès maximal de 35 ns
- DDR - transfère des données sur les deux bords de l’horloge
- Débit de données jusqu’à 400 Mb/s (3 200 Mb/s)
- Caractéristiques de rafale configurables
- Rafale linéaire
- Longueurs de rafales enveloppées
- 16 octets (8 horloges)
- 32 octets (16 horloges)
- 64 octets (32 horloges)
- 128 octets (64 horloges)
- Option hybride - une rafale enveloppée suivie d'une rafale linéaire
- Puissance de pilotage de sortie configurable
- Boîtier
- Boîtier FBGA-24 6,0 mm x 8,0 mm, pas de 1,0 mm
Applications
- Systèmes télématiques, d'infodivertissement et grappes d'instruments automobiles
- Panneaux d'affichage IHM grand public et industrielle
- Vision des machines industrielles
- Dispositifs portables grand public
- Modules de communication
Vidéos
Schéma de principe logique
Produits associés
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DRAM à haute vitesse et faible nombre de broches pour les systèmes intégrés à hautes performances nécessitant une mémoire d'extension.