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Diodes Incorporated Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont des transistors bipolaires qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949. Chaque composant dispose d'une tension de rupture collecteur-émetteur de 50 V ou 100 V (minimum). Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont fournis en boîtier TO-252 (DPAK) et sont idéaux pour les applications de commutation de puissance ou d'amplification.

Caractéristiques

  • BVCEO > 100 V
  • IC = Courant collecteur continu jusqu'à 6 A
  • ICM = Courant d'impulsion de crête jusqu'à 10 A
  • Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Dispositif vert sans halogène ni antimoine

Données mécaniques

  • Boîtier TO-252 (DPAK)
  • Le matériau d'emballage est en plastique moulé, composé de moulage vert avec une classification d'inflammabilité UL de 94V-0
• Sensibilité à l'humidité de niveau 1 selon J-STD-020
• Les bornes sont des fils étamés mat, soudables selon MIL-STD-202, méthode 208
• Poids (approximatif) de 0,34 g

Dimensions extérieures du boîtier

Plan mécanique - Diodes Incorporated Transistors automobiles de moyenne puissance MJD
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Pd - Dissipation d’énergie
MJD2873Q-13 MJD2873Q-13 Fiche technique TO-252-3 50 V 70 V 2.6 W
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Fiche technique TO-252-3 100 V 120 V 2.6 W
MJD42CQ-13 MJD42CQ-13 Fiche technique TO-252-3 100 V 120 V 2.7 W
MJD41CQ-13 MJD41CQ-13 Fiche technique TO-252-3 100 V 120 V 2.7 W
Publié le: 2023-03-15 | Mis à jour le: 2023-03-21