Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont des transistors bipolaires qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949. Chaque composant dispose d'une tension de rupture collecteur-émetteur de 50 V ou 100 V (minimum). Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont fournis en boîtier TO-252 (DPAK) et sont idéaux pour les applications de commutation de puissance ou d'amplification.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Fiche technique
5.621En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Fiche technique
885En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Fiche technique
2.487En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Fiche technique
909En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape