Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x

Les transistors bipolaires PNP DXTP80x® de Diodes Incorporated offrent un boîtier PowerDI ® 3333-8 thermiquement efficace à petit facteur de forme, permettant des produits finaux de plus haute densité. Les dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur >-30 V, -60 V ou -100 V et une tension émetteur-base >-8 V. Le DXTP80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les transistors bipolaires PNP de diodes Inc. sont excellents pour les moteurs, les solénoïdes, les relais et les commandes de pilotes d'actionneurs.

Caractéristiques

  • BVCEO >-30 V, -60 V ou -100 V
  • BVEBO >-8 V
  • Courant continu IC de -4 A à -7,5 A
  • Courant d'impulsiion de crête ICM à -10 A à -14 A
  • Tension de saturation ultra-faible VCE(sat) <-35 mv="" à="" -1="" a,=""><-50 mv="" à="" -1="" a,="" ou=""><-70 mv="" à="" -1="">
  • RCE(sat) courant élevé = 13 mΩ, 26 mΩ ou 40 mΩ standard
  • Le boîtier à petit facteur de forme à faible rendement thermique permet d'obtenir des produits finis à densité plus élevée
  • Flanc mouillable pour un contrôle optique amélioré
  • Conçus pour résister à +175 °C - idéaux pour les environnements à haute température
  • Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Dispositif sans halogène ni antimoine - Dispositif « vert »

Applications

  • Commandes de grilles MOSFET et IGBT
  • Commutateurs de charge
  • Régulation basse tension
  • Convertisseurs CC/CC
  • Commandes de moteurs, solénoïdes, relais et pilotes d' actionneurs

Caractéristiques techniques

  • Boîtier PowerDI 3333-8
  • Matériau d'emballage en plastique moulé, composé de moulage « vert », indice d'inflammabilité UL 94V-0
  • Sensibilité à l'humidité de niveau 1 selon J-STD-020
  • Finition - bornes en étain mat, soudable selon MIL-STD-202, Méthode 208

Style de boîtier

Schéma du circuit d'application - Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x
Publié le: 2025-09-09 | Mis à jour le: 2026-02-10