Transistors bipolaires PNP DXTP80x

Les Transistors bipolaires PNP DXTP80x® de Diodes Incorporated sont en boîtier PowerDI® 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé, ce qui permet d’obtenir des produits finaux de densité supérieure. Ces dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur ≥-30, -60 ou -100 V et une tension émetteur-base ≥-8 V. Le DXTP80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les transistors bipolaires PNP de Diodes Inc. sont excellents pour des moteurs, des solénoïdes, des relais et des commandes de pilotes d'actionneurs.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Qualification Série Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3.866En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1.791En stock
2.00029/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
1.499Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape