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Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x

Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Incorporated sont dotés d'un boîtier PowerDI® 3333-8 à petit facteur de forme et à rendement thermique efficace, ce qui permet d'obtenir des produits finaux à plus forte densité. Les dispositifs fournissent une tension collecteur-émetteur >30 V, 60 V ou 100 V et une tension émetteur-base >8 V. Le DXTN80x est idéal pour les environnements à haute température, avec une température nominale de +175 °C. Les transistors bipolaires NPN DXTN80x de Diodes Inc. sont excellents pour les moteurs, les solénoïdes, les relais et les commandes de pilotes d'actionneurs.

Caractéristiques

  • BVCEO >30 V, 60 V ou 100 V
  • BVEBO >8 V
  • Courant continu IC de 5,5 A à 10 A
  • Courant d'impulsiion de crête ICM à 10 A à 20 A
  • Tension de saturation ultra-faible VCE(sat) <30 mv="" à="" 1="" a,=""><40 mv="" à="" 1="" a="" ou=""><45 mv="" à="" 1="">
  • Courant élevé RCE(sat) = 12 mΩ, 16 mΩ ou 23 mΩ standard
  • Le boîtier à petit facteur de forme à faible rendement thermique permet d'obtenir des produits finis à densité plus élevée
  • Flanc mouillable pour un contrôle optique amélioré
  • Norme de +175 °C - idéal pour les environnements à haute température
  • Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène ni antimoine - dispositif « vert »

Applications

  • Commandes de grilles MOSFET et IGBT
  • Commutateurs de charge
  • Régulation basse tension
  • Convertisseurs CC/CC
  • Commandes de moteurs, solénoïdes, relais et pilotes d' actionneurs

Caractéristiques techniques

  • Boîtier PowerDI 3333-8
  • Matériau d'emballage en plastique moulé, composé de moulage « vert », indice d'inflammabilité UL 94V-0
  • Sensibilité à l'humidité de niveau 1 selon J-STD-020
  • Finition - bornes en étain mat, soudable selon MIL-STD-202, Méthode 208

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Style de boîtier

Circuit de localisation - Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x
Publié le: 2025-09-09 | Mis à jour le: 2026-02-10