Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3
Le MOSFET à canal N à mode d'amélioration DMN1057UCA3 de Diodes Incorporated est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (R DS(ON)) et est idéal pour des applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Ce MOSFET présente une faible charge de grille et une faible charge grille-drain pour des performances de commutation rapides. Le MOSFET DMN1057UCA3 présente une conception compacte et ultra-plate avec une hauteur de seulement 0,26 mm, ce qui le rend idéal pour les applications où l'espace est limité. Ce MOSFET offre une dissipation d'énergie pouvant atteindre 1,81 W et une résistance thermique pouvant atteindre 198,6 °C/W. Le MOSFET DMN1057UCA3 à canal N est utilisé dans les applications de gestion de batterie, de commutateurs de charge et de protection de batterie.
Caractéristiques
- mosfet à canal n
- Faible résistance de conduction pour une commutation efficace
- Tension drain-source (V DSS) de 12 V
- Tension grille-source (V GSS) de 8 V
- Dissipation d'énergie (P D) pouvant atteindre 1,81 W
- Résistance thermique de jonction à la température ambiante atteignant 198,6 °C/W (@T A = 25 °C)
- Taille compacte adaptée aux conceptions à espace restreint
- Performance de commutation rapide
- Exploitation économe en énergie
- Profil mince à 0,26 mm de hauteur
- Grille protégée contre les ESD
- Boîtier X4-DSN0607-3
- Entièrement sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Gestion de batterie
- Gestion de l'alimentation haute efficacité
- Commutateurs de charge
- Protections de la batterie
Dimensions du boîtier
Publié le: 2025-08-22
| Mis à jour le: 2025-10-30