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DMN1057UCA3-7

Name: Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN1057UCA3-7
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-DMN1057UCA3-7

N° de fab. :

DMN1057UCA3-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

DMN1057UCA3-7 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,299 €	2,99 €
	0,169 €	16,90 €
	0,114 €	57,00 €
	0,087 €	87,00 €
	0,077 €	192,50 €
	0,067 €	335,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,061 €	610,00 €
	0,055 €	1.100,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	X4-DSN0607-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	4.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	102 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.3 V
Qg - Charge de grille:	1.47 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.81 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	2.6 ns

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Fiche technique

DMN1057UCA3-7 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

Le MOSFET à canal N à mode d'amélioration DMN1057UCA3 de Diodes Incorporated est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (R_DS(ON)) et est idéal pour des applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Ce MOSFET présente une faible charge de grille et une faible charge grille-drain pour des performances de commutation rapides. Le MOSFET DMN1057UCA3 présente une conception compacte et ultra-plate avec une hauteur de seulement 0,26 mm, ce qui le rend idéal pour les applications où l'espace est limité. Ce MOSFET offre une dissipation d'énergie pouvant atteindre 1,81 W et une résistance thermique pouvant atteindre 198,6 °C/W. Le MOSFET DMN1057UCA3 à canal N est utilisé dans les applications de gestion de batterie, de commutateurs de charge et de protection de batterie.