Infineon Technologies IGBT7 S7 TRENCHSTOP™
L’IGBT7 S7 TRENCHSTOP™ d'Infineon Technologies offre un vaste portefeuille 1 200 V pour toutes les applications industrielles nécessitant une capacité/robustesse de court-circuit. L'IGBT7 S7 est un IGBT discret robuste à court-circuit efficace fournissant au moins une tension de saturation 10 % plus faible que les autres.
Le TRENCHSTOP IGBT7 S7 d'Infineon est disponible avec des diodes EC7 (contrôlées par émetteur) très douces à pleine puissance, permettant une saturation IGBT VCEsat et un faible Qrr. L'IGBT7 fournit une capacité de contrôle supérieure et une robustesse contre les courts-circuits. De plus, le composant dispose d'excellentes performances électriques, d'une capacité de contrôle plus élevée, d'une conception EMI facile et d'une fiabilité plus élevée dans des conditions d'application difficiles.
Caractéristiques
- Temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) : 8 µs
- Densité de puissance élevée
- Diode progressive à courant complet et Qrr faible
- Fiabilité de système élevée
- Contrôlabilité supérieure
- Robustesse améliorée à l'humidité à haute tension (test HV-H3TRB réussi)
- Diode EC7 complètement co-emballée, plus rapide, plus efficace et plus progressive que la diode Rapid 1
Applications
- Commandes de moteurs
- ASI/PV
- PFC climatiseur
Caractéristiques techniques
- Tension de claquage plus élevée de 1 200 V
- Faible saturation IGBT (VCEsat) et faible tension directe de diode (VF)
Caractéristiques/Avantages :
Tableau de comparaison IGBT7
Option supérieure pour toutes les applications industrielles
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