IGBT7 S7 TRENCHSTOP™

Les IGBT7 S7 TRENCHSTOP™ d’Infineon Technologies offrent un vaste portefeuille de 1 200 V pour toutes les applications industrielles nécessitant une capacité de court-circuit/robustesse. L’IGBT7 S7 est un IGBT discret robuste et efficace en cas de court-circuit, offrant une tension de saturation inférieure d’au moins 10 % à celle des autres.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
1.112En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
601En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
1.573En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
305En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
176En stock
24025/03/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
1.718En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
91En stock
72016/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
479En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
207En stock
96023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
130En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
1.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
47523/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube