Infineon Technologies Modules IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP
Les modules IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP d'Infineon Technologies offrent une capacité de tension de blocage supérieure jusqu’à 650 V et utilisent une diode SCHOTTKY CoolSiC™ (5e génération). Ces dispositifs sont basés sur l’IGBT5 TRENCHSTOP™ et la technologie de contact PressFIT. Les modules IGBT F3L200R07W2S5FP fournissent des pertes de commutation fortement réduites et un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique. Ces modules sont fournis avec une conception compacte qui comprend un montage robuste grâce à des colliers de montage intégrés et un matériau d’interface thermique pré-appliqué. Les modules IGBT F3L200R07W2S5FP sont idéaux pour les entraînements à moteur, les applications solaires, les applications à 3 niveaux et les systèmes UPS.
Caractéristiques
- Diode SCHOTTKY CoolSiC (5e génération)
- Capacité de tension de blocage accrue jusqu’à 650 V
- Pertes de commutation faibles
- Conception compacte
- Substrat Al2O3 à faible résistance thermique
- Technologie de contact PressFIT
- Montage robuste grâce aux brides de montage intégrées
- Matériau d'interface thermique pré-appliqué
Applications
- Entraînements à moteur
- Applications solaires
- Applications à 3 niveaux
- Systèmes UPS (alimentations sans coupure)
Schémas de principe
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Guide de sélection
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description | Type de produit | Quantité standard du lot |
|---|---|---|---|---|
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 |  |
Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 15 |
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 | |
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 |
Publié le: 2020-05-11
| Mis à jour le: 2024-10-24