Modules IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP

Les modules IGBT EasyPACK™ F3L200R07W2S5FP d'Infineon Technologies offrent une capacité de tension de blocage supérieure jusqu’à 650 V et utilisent une diode SCHOTTKY CoolSiC™ (5e génération). Ces dispositifs sont basés sur l’IGBT5 TRENCHSTOP™ et la technologie de contact PressFIT. Les modules IGBT F3L200R07W2S5FP fournissent des pertes de commutation fortement réduites et un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique. Ces modules sont fournis avec une conception compacte qui comprend un montage robuste grâce à des colliers de montage intégrés et un matériau d’interface thermique pré-appliqué. Les modules IGBT F3L200R07W2S5FP sont idéaux pour les entraînements à moteur, les applications solaires, les applications à 3 niveaux et les systèmes UPS.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 18
Mult. : 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 18
Mult. : 18

Tray