Infineon Technologies Carte d'évaluation pour chauffage par induction EVAL-2KW-SIC-IH
La carte d'évaluation EVAL-2KW-SIC-IH d'Infineon Technologiesest une plateforme haute performance conçue pour présenter la famille de MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 pour les applications de chauffage par induction. Conçue pour les zones de cuisson jusqu'à 2 kW, la carte est dotée d'une topologie à convertisseur demi-pont utilisant des circuits intégrés CoolSiC™ MOSFET et Infineon EiceDRIVER™ pour offrir une efficacité exceptionnelle, une capacité de commutation rapide et une performance thermique robuste. L'EVAL-2KW-SIC-IH prend en charge les interfaces de contrôle standard basées sur un microcontrôleur et comprend des fonctions de protection complètes telles que la protection contre les surintensités, les surtensions et les surchauffes. Idéale pour les plaques de cuisson à induction, les systèmes de chauffage industriels et autres conceptions d'onduleurs à haute fréquence, cette carte d'évaluation permet aux ingénieurs d'accélérer le développement et d'optimiser les solutions de chauffage par induction de nouvelle génération en utilisant la technologie de SiC.
Caractéristiques
- Démontre le fonctionnement des MOSFET CoolSiC 650 V G2 et des circuits intégrés à décalage de niveau EiceDRIVER™ dans des applications de chauffage par induction résonnant
- Démontre la capacité des MOSFET CoolSiC G2 650 V fonctionnant en topologie résonnante demi-pont pour des fréquences de commutation allant jusqu'à 150 kHz
- Démontre une efficacité ultra-élevée de 99,7 % à une puissance de sortie de 2 kW
- Permet d'atteindre une efficacité supérieure de 1,3 % à 1,8 % avec un MOSFET G2 CoolSiC 650 V par rapport aux solutions IGBT
- Faible résistance de conduction qui reste stable et reproductible même dans une production à grande échelle
Applications
- Chauffage par induction
- Systèmes de stockage d'énergie
- Moteurs industriels
- Énergies renouvelables
- Contrôle de moteur et moteurs
- Alimentations sans interruption (ASI)
Caractéristiques techniques
- Tension d'alimentation auxiliaire de 18 V
- Signal d'entrée MLI de 5 V
- Plage de tension d'alimentation principale CC de 0 V à 340 V
- Plage de fréquence de commutation de 100 kHz à 140 kHz
- Plage de puissance principale de 0 W à 2 000 W
- Plage de courant résonnant de sortie de 0 ARMS à 20 ARMS
Présentation générale
Schéma fonctionnel
Composants pris en charge
Infineon Technologies MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2
Tirez parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure.
Publié le: 2025-12-15
| Mis à jour le: 2026-01-11