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Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3

Les transistors CoolGaN™ G3 d'Infineon Technologies sont conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance. Ces transistors possèdent une résistance à l'état passant très faible, permettant une conversion d'énergie efficace et des pertes d'énergie réduites. Disponibles en quatre options de tension (60 V, 80 V, 100 V ou 120 V), les transistors CoolGaN G3 d'Infineon offrent une commutation ultra-rapide avec une charge grille/sortie ultra-faible. Les transistors sont logés dans des boîtiers compacts PQFN, qui améliorent la gestion thermique et prennent en charge le refroidissement double face, garantissant une exploitation fiable même dans des conditions exigeantes. Ces caractéristiques font des transistors CoolGaN G3 un choix de premier ordre pour des applications telles que les alimentations électriques des centres de données et les systèmes d'alimentation électrique industriels.

Caractéristiques

  • Commutation ultra-rapide et haute efficacité
  • Boîtier compact et très robuste
  • Aucune charge de récupération inverse
  • Charge de grille et de sortie ultra-faible
  • Puce exposée pour une excellence thermique de la partie supérieure
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1
  • Boîtier de classe industrielle 3 mm x 5 mm PG‑TSON‑6
  • Entièrement qualifiés selon JEDEC pour les applications industrielles
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Outils alimentés par batterie
  • Mobilité électrique et UAV
  • Robotique et drones
  • Systèmes de stockage solaire et d'énergie
  • Télécommunications et centres de données
  • SMPS à faible puissance
  • Rectification synchrone pour les convertisseurs CA‑CC et CC‑CC

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source continue maximale de 60 V, 80 V, 100 V ou 120 V
  • Puissance dissipable admissible maximale de 45 W
  • Tension grille-source pulsée maximale de ±6,5 V
  • Plage de tension de la source de la grille de -4,0 V à 5,5 V
  • Plage de tension de seuil de la grille de 1,2 V à 2,9 V
  • Résistance standard de la grille de 0,5 Ω
  • Plage de résistance à l'état passant drain‑source maximale de 1,9 mΩ à 3,7 mΩ
  • Capacité
    • Plage d'entrée maximale de 1 100 pF à 1 700 pF
    • Plage de sortie maximale de 550 pF à 770 pF
    • Plage de transfert inverse maximale de 6,4 pF à 22 pF
  • Charge de grille standard
    • Plage de charge de grille source de 2,7 nC à 4,0 nC
    • Charge de grille de 2,9 nC à 2,0 nC à la plage de seuil
    • Plage de charge de grille à drain de 2,3 nC à 3,6 nC
    • Plage de charge de commutation de 3,0 nC à 4,7 nC
    • Plage totale de charge de grille de 10 nC à 13 nC
    • Plage de tension de plateau de grille de 2,7 V à 2,8 V
    • Plage de charge de sortie de 37 nC à 49 nC
  • Exploitation inverse
    • Plage de courant continu inverse maximal de 15 A à 16 A
    • Plage de courant impulsionnel inverse maximal de 284 A à 396 A
    • Tension maximale entre la source et le drain de 3,4 V
    • Charge de récupération inverse standard de 0 nC
  • Plage de température de jonction de -40 °C à +150 °C
  • Résistance thermique
    • Température maximale de 0,6 °C/W entre le haut de la jonction et du boîtier
    • Température maximale de 2,8 °C/W entre le bas de la jonction et du boîtier
    • Température standard de 60 °C/W de jonction à ambiante 1s0p
    • Température standard de 38 °C/W de jonction à ambiante 2s2p

Dimensions

Plan mécanique - Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3

Transistors apparentés

Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3 100 V

Transistor de puissance en mode amélioré (e-mode) normalement désactivé, dans un boîtier compact.

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Outil de développement

Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL_MTR_48V150A_GaN

Conçue pour mettre en avant les capacités des transistors CoolGaN™ 80 V G3 dans les applications à courant élevé.

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Application associée

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Conçu pour un maximum de performance, une conception compacte et une efficacité énergétique supérieure.

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Numéro de pièce Fiche technique Description
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Fiche technique FET GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 Fiche technique FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Fiche technique FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Fiche technique FET GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Fiche technique FET GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 Fiche technique FET GaN MV GAN DISCRETES
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Fiche technique FET GaN MV GAN DISCRETES
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 Fiche technique FET GaN MV GAN DISCRETES
Publié le: 2025-03-31 | Mis à jour le: 2026-01-15