MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Fiche technique
2.309En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Fiche technique
7En stock
60005/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
540En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
448En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
256En stock
600Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Fiche technique
241En stock
60012/03/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
590En stock
1.00018/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Fiche technique
246En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
467En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
481En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Fiche technique
1.404En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
22En stock
1.00029/01/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
13En stock
1.200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Fiche technique
101En stock
60007/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Fiche technique
35En stock
60011/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
51En stock
1.20029/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Fiche technique
724En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Fiche technique
334En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Fiche technique
1.301En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Fiche technique
4.893En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Fiche technique
5En stock
1.20019/02/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Fiche technique
14En stock
1.80005/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
5En stock
60016/04/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Fiche technique
5En stock
60012/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel