Diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC

Les diodes Schottky au carbure de silicium 650 V STPSC de STMicroelectronics sont des diodes Schottky de puissance à ultra-haute performance. Le matériau à large bande interdite permet la conception d'une structure de diode Schottky avec un courant nominal de 650 V. Grâce à la construction Schottky, aucune récupération n'est affichée à l'arrêt et les schémas de sonnerie sont négligeables. Le comportement de mise hors tension capacitive minimal est indépendant de la température. Ces composants sont particulièrement adaptés à une utilisation dans les applications PFC et ils augmenteront les performances dans les conditions de commutation dure. La capacité de surtension directe élevée garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.