Arten von Halbleitern
Angewendete Filter:
Hersteller
= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 217
Abracon ABFBxx Clock Buffers
08.12.2026
08.12.2026
Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.
Murata LBMA0ZZ2NR-EVK Evaluationskit
08.12.2026
08.12.2026
Ein Evaluierungs- und Applikations-Evaluierungskit für das Modul Typ 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).
Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
08.12.2026
08.12.2026
Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
MediaTek Genio 420, 520 und 720 Gen-AI IoT-Plattformen
08.11.2026
08.11.2026
Teil einer Produktfamilie hochmoderner Lösungen für fortschrittliche IoT- Applikationen.
u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit
08.11.2026
08.11.2026
Designed to test the features and capabilities of the ZED-X20D dual-antenna GNSS heading module.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08.11.2026
08.11.2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch
08.10.2026
08.10.2026
The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.10.2026
08.10.2026
Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator
08.10.2026
08.10.2026
Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08.10.2026
08.10.2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs
08.10.2026
08.10.2026
High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.
Sensirion SEK-SEN69C Evaluationskit
08.10.2026
08.10.2026
Evaluierungskit für SEN69C All-in-One-Raumluftqualitätssensoren.
STMicroelectronics LDQ44 400 mA Hochgenauer LDO-Spannungsregler
08.10.2026
08.10.2026
Die enthaltenen Funktionen machen den LDQ44 geeignet für stromsparende, batteriebetriebene Applikationen.
Analog Devices Inc. ADM33051E Hochgeschwindigkeits-CAN-FD-Transceiver
08.10.2026
08.10.2026
Ein robuster Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit geringem Stromverbrauch, der mit einer Versorgungsspannung von 3,3 V betrieben wird.
Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluierungsboard
08.06.2026
08.06.2026
Gate-Treiber-Evaluierungsboard für bidirektionale CoolGaN™ Schalterdesigns.
Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Mikrocontroller
08.06.2026
08.06.2026
32-Bit Steuerungs-MCUs mit Arm® Cortex®-M0 CPU und MATH-Coprozessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS-Evaluierungsboards
08.06.2026
08.06.2026
Kompakte Tochterboards zur Evaluierung von bidirektionalen 40 V GaN- Schaltern.
NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms
08.05.2026
08.05.2026
Brings automotive-grade hardware and software to deliver secure, safe, and accelerated development.
Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).
Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden
08.04.2026
08.04.2026
ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.
Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
08.04.2026
08.04.2026
Entwickelt zur Evaluierung des MAX22215 Treibers in Kombination mit dem Trinamic- Evaluierungsboard- System.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluierungsmodule
08.04.2026
08.04.2026
Evaluierungsmodule mit flexibler Schienenüberwachung für strahlungstolerante Wächter.
Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler
08.04.2026
08.04.2026
Entwickelt, um das Portfolio mit zuverlässigen Lösungen für galvanische Isolierung zu erweitern.
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