STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
Le MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG de STMicroelectronics est conçu pour fournir un niveau élevé de tension et de robustesse pour le marché automobile. Ce MOSFET est construit à l’aide de la technologie PowerMESH™ ; le dispositif combine une tension nominale drain-source très élevée de 1 500un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.V avec une faible charge de grille et une capacité avalanche robuste. Le MOSFET STH4N150-2AG est de qualité automobile, qualifié AEC-Q101 et disponible dans un boîtier H2PAK-2. Ce dispositif est adapté aux applications haute tension, automobiles, auxiliaires et de commutation.
Caractéristiques
- Qualification AEC-Q101
- Charge de grille très faible de 1 500 V
- 100 % testé en mode avalanche
- RDS(ON) maximum de 10Ω
- Courant de drain (ID) de 2,6 A
- Tension de source de grille de ±30 V
- Plage de température de jonction et de stockage : de -55 °C à +150 °C
Applications
- Exigences de commutation
- Appareils auxiliaires
Dimensions
Publié le: 2026-07-31
| Mis à jour le: 2026-08-10