InterFET Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

Types de Semiconducteurs discrets
Modifier la vue par catégorie
Filtres appliqués:
Fabricant = InterFET Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

InterFET JFET à canal N 40 V à faible Ciss IFN201 et IFN202
InterFET JFET à canal N 40 V à faible Ciss IFN201 et IFN202
10.28.2024
Feature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.
InterFET JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160
InterFET JFET à faible Ciss de 50 V à canal N IFN160
10.28.2024
Disposent d’une faible fuite de grille, d’une faible tension de coupure et d’une faible capacité d’entrée (Ciss).
Consulter : 1 - 2 sur 2

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09.02.2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09.02.2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09.02.2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
09.02.2026
MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09.02.2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09.01.2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
IXYS SCR sensibles SK002xSx
IXYS SCR sensibles SK002xSx
08.27.2026
SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08.25.2026
Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
08.25.2026
Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08.19.2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V
08.12.2026
Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08.11.2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08.10.2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08.10.2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1
08.04.2026
Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07.30.2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07.30.2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A
07.20.2026
Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.
Consulter : 1 - 25 sur 1070