12-V- bis 250-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die 12-V- bis 250-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten dem Designer eine neue Option, die einfachere Schaltungen bei gleichzeitiger Optimierung der Leistung ermöglicht. Der Hauptvorteil eines p-Kanal-Bauteils ist die Reduzierung der Design-Komplexität in Applikationen mit mittlerer und niedriger Leistung. Die p-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für den Batterieschutz, den Umpolungsschutz, lineare Ladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Wandler und Niederspannungsantriebs-Applikationen.