IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™

Les IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ d'IXYS sont des IGBT à tranchée de 4e génération dotés de la technologie XPT à couche mince. Ces transistors IGBT à V_SAT ultra-faibles prennent en charge des fréquences de commutation atteignant 5 kHz et sont optimisés pour de faibles pertes de conduction. Les IGBT IXYxN120A offrent des avantages tels qu'une densité de puissance élevée, de faibles exigences de commande de grille, et ont une température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Ces transistors sont délivrés dans des boîtiers TO-247 et TO-269HV, chacun ayant une tension de 1 200 V et un courant de 55 A ou 85 A. Les IGBT IXYxN120A sont utilisés dans des applications telles que les onduleurs de puissance, les commandes de moteurs, les circuits PFC, les chargeurs de batteries, les machines de soudage, les ballasts de lampes et les circuits de protection du courant d'appel.