MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 1200V G1

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobiles 1 200 V G1 d'Infineon Technologies offrent une densité de puissance accrue, une efficacité supérieure et une fiabilité améliorée. Le portefeuille granulaire comprend des MOSFET SiC 1 200 V en boîtier TO-247-3pin, TO-247-4pin et D2PAK-7pin avec une R_DS(on) comprise entre 8,7 mΩ et 160 mΩ, et une ID à +25 °C, d'un maximum de 17 A à 205 A. Une densité de puissance élevée, une efficacité supérieure, des capacités de chargement bidirectionnel et des réductions significatives des coûts système font des modules de MOSFET automobiles 1 200 V G1 CoolSiC™ d'Infineon Technologies un choix idéal pour les applications de chargeur embarqué et CC-CC. Les composants TO et CMS sont également fournis avec des broches de source Kelvin pour des performances de commutation optimisées.