SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

Ergebnisse: 49
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Technologie
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1.806Auf Lager
Cut-Tape
9,16 €
5,08 €
4,82 €
Reel
4,20 €
4,10 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.300
SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1.080Auf Lager
9,56 €
5,32 €
4,93 €
4,28 €
4,21 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 229Auf Lager
Cut-Tape
9,11 €
6,06 €
5,37 €
4,71 €
4,21 €
Reel
4,06 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 560Auf Lager
8,99 €
5,31 €
4,51 €
3,99 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.607Auf Lager
Cut-Tape
7,32 €
3,97 €
3,66 €
3,59 €
3,29 €
Reel
3,04 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220 825Auf Lager
Cut-Tape
7,07 €
3,93 €
3,60 €
3,04 €
Reel
3,04 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1.615Auf Lager
Cut-Tape
7,34 €
3,98 €
3,66 €
3,59 €
Reel
3,06 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.300
SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220 717Auf Lager
Cut-Tape
5,69 €
3,02 €
2,76 €
2,31 €
Reel
2,30 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3.744Auf Lager
Cut-Tape
1,87 €
0,903 €
0,808 €
0,642 €
Reel
0,506 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2.446Auf Lager
Cut-Tape
7,19 €
4,88 €
3,59 €
3,50 €
3,21 €
Reel
2,98 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220 1.756Auf Lager
4,65 €
2,52 €
2,24 €
1,87 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1.475Auf Lager
Cut-Tape
1,87 €
0,903 €
0,808 €
0,642 €
Reel
0,506 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
1.139Auf Bestellung
Cut-Tape
6,86 €
4,83 €
3,91 €
3,47 €
2,87 €
Reel
2,80 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,01 €
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,07 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
4,66 €
Min.: 1.200
Mult.: 600
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
3,78 €
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
2,76 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
2,73 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
2,68 €
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,86 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,07 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
3,47 €
1,76 €
1,60 €
1,31 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,15 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Reel
1,12 €
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
700 V SuperGaN GaN