Microchip SiC MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Fiche technique
242En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Fiche technique
862En stock
27027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
Fiche technique
44En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
Fiche technique
58En stock
5618/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Fiche technique
49En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
Fiche technique
140En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Fiche technique
55En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
Fiche technique
144En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Fiche technique
63En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
Fiche technique
63En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
Fiche technique
162En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268
Fiche technique
88En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET
Fiche technique
20En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Fiche technique
188En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Fiche technique
45En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
Fiche technique
230Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Fiche technique
Délai de livraison 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 9 Semaines
Min. : 200
Mult. : 200
Bobine: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 5 Semaines
Min. : 100
Mult. : 100
Bobine: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 9 Semaines
Min. : 200
Mult. : 200
Bobine: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 9 Semaines
Min. : 200
Mult. : 200
Bobine: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 4 Semaines
Min. : 400
Mult. : 400
Bobine: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 4 Semaines
Min. : 1.300
Mult. : 1.300
Bobine: 1.300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 700 V 48 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement