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MSC080SMA120B4

Name: Microchip MSC080SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC080SMA120B4
Price: 7.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-MSC080SMA120B4

N° de fab. :

MSC080SMA120B4

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4

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Fiche technique:

MSC080SMA120B4 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	7,33 €	219,90 €
	6,37 €	764,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	37 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.8 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.