STMicroelectronics SiC MOSFET

Résultats: 69
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1.800
Mult. : 1.800
Bobine: 1.800

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Fiche technique
Non stocké
Min. : 600
Mult. : 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 448
Mult. : 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Fiche technique
Non stocké
Min. : 600
Mult. : 600
Bobine: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000