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SCT018W65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3AG
Price: 9.23 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCT018W65G3AG

N° de fab. :

SCT018W65G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	-10 V, 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	76 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	398 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	17 ns