BIMOSFET MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
IXYS MOSFET Disc IGBT BiMosfet-High Volt TO-263D2 Délai de livraison produit non stocké 37 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 16 A - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET Non stocké
Min. : 25
Mult. : 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET BiMOSFET ISOPLUS i4-PAC co-pack device Non stocké
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube