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IXBF42N300

Name: IXYS IXBF42N300
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBF42N300
Price: 60.29 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXBF42N300

N° de fab. :

IXBF42N300

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET BiMOSFET ISOPLUS i4-PAC co-pack device

Fiche technique:

IXBF42N300 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Nom commercial:	BIMOSFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6,500 g

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Fiche technique

IXBF42N300 Fiche technique

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high L_di/dt voltage transients from inflicting damage to the device.