Tube MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Fiche technique
411En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Fiche technique
299En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Fiche technique
2.102En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Fiche technique
1.901En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 250V N-Ch MOSFET
Fiche technique
16.463En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
Fiche technique
7.438En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
Fiche technique
10.888En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFET DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
Fiche technique
273En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM
Fiche technique
1.908En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Fiche technique
6.774En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Fiche technique
13.277En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover
Fiche technique
1.963En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Fiche technique
1.710En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
Fiche technique
1.441En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Tube
Panjit MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
Fiche technique
1.707En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Fiche technique
2.862En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Fiche technique
931En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Fiche technique
4.009En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
Fiche technique
3.528En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
Fiche technique
21.864En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Fiche technique
65.071En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.8 A 2.38 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
Fiche technique
14.585En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
Fiche technique
4.573En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 I4-PAK ISO+
Fiche technique
2.304En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
Fiche technique
3.082En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube