Toshiba DTMOSIV MOSFET

Résultats: 112
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Fiche technique
50En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Fiche technique
85En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Fiche technique
13En stock
5016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Fiche technique
40En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Fiche technique
104En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Fiche technique
10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Fiche technique
169En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Fiche technique
197En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Fiche technique
86En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Fiche technique
44En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Fiche technique
114En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
Fiche technique
719En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Fiche technique
446En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Fiche technique
144En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Fiche technique
8915/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Fiche technique
3020/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube