TK39N60W,S1VF

Toshiba
757-TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF

Fab. :

Description :
MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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6,12 € 6,12 €
3,55 € 35,50 €
2,92 € 350,40 €
2,76 € 1.407,60 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38.8 A
55 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 50 ns
Série: TK39N60W
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 200 ns
Délai d'activation standard: 80 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.