Shindengen MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 40 nC + 150 C 95 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
74En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 10 nC + 150 C 52.5 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 10.5 nC + 150 C 52.5 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1.000
Mult. : 1.000
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Tube
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk

Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube

Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube
Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk

Shindengen MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube
Shindengen MOSFET 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1.000
Mult. : 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 104 nC + 150 C 140 W Enhancement Tube
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET Mosfet
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT LA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel
Shindengen MOSFET High Switching Speed High Voltage
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET Mosfet
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFET 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 280 V 21 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 20.5 nC + 150 C 85 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFET High Switching Speed
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Shindengen MOSFET 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 280 V 26 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 24.5 nC + 150 C 90 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFET 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 2.000
Mult. : 2.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC + 150 C 35 W Enhancement Bulk