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STF24N60DM2

Name: STMicroelectronics STF24N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF24N60DM2
Price: 2.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF24N60DM2

N° de fab. :

STF24N60DM2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	175 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.7 ns
Série:	STF24N60DM2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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