Vishay MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
428En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-247AC N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
934En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-220AB N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
2.950En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Vishay Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
257En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
2.950En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Vishay Reel, Cut Tape