M1H Série Modules MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
Infineon Technologies Modules MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Fiche technique
16En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Modules MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Fiche technique
36En stock
4809/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Fiche technique
1528/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray