IXTP08N100 Série MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Fiche technique
1.789En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Fiche technique
267En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 20 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 11.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube