GCMS Série Modules MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Série Conditionnement
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 8 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ Modules MOSFET 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227 Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

GCMS Tube