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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia FET GaN GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Fiche technique
1.728En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
77En stock
2.50009/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
2.060En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Fiche technique
720En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Fiche technique
2.483Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement