IGBT à tranchée IXYx110N120A4 1 200 V XPT™ GenX4™

Les IGBT en tranchée XPT™ GenX4™ 1 200 V IXYx110N120A4 d'IXYS sont des IGBT à gain élevé optimisés pour une VCE(sat) à pertes de conduction très faibles et pour des fréquences de commutation atteignant 5 kHz. La technologie à couche mince et les processus améliorés permettent une faible charge de grille QG, d'où une faible exigence de courant de grille. Le gain élevé accroît la capacité de courant de choc et le coefficient de température positif de VCE(sat) simplifie la mise en parallèle. La faible résistance thermique de Rth(j-c) facilite les problèmes de conception liés à la température.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 110A plus247
Fiche technique
201En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 110A TO264
Fiche technique
148En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
Fiche technique
320En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube