APC-E SiC MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
268En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
270En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
288En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
300En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
Fiche technique
60028/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
30024/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
30029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
30027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E SiC MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
30027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
30001/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
30024/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E SiC MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
30001/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E SiC MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
Fiche technique
30027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C