TrenchP Modules MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
IXYS Modules MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
Fiche technique
658En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount SOT-227-4 - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C IXTN210P10 Tube
IXYS Modules MOSFET DISCRETE
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 28 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Modules MOSFET IXTY26P10T TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS Modules MOSFET IXTY32P05T TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 43 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Modules MOSFET IXTY48P05T TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 43 Semaines
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel